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高低溫環境試驗裝置「光電半導體領域」
結構組成
1、溫度范圍：-20℃ ～ +150℃；
2、溫度波動度：≤±0.5℃；
3、溫度均勻度：≤1℃；
4、溫度偏差：≤±2℃；
5、升降溫速率：
從+20～-70℃，約70min
從+20―100℃，約55min
6、風速：1.7 ～ 2.5m/s；
以上指標均在環境溫度≤25℃，常壓，空載、無負荷條件下、距箱體內壁1/6空間內測試測得；
7、功率：約3.5Kw；
8、電源：220V±10%V；50Hz；
9、濕度范圍：20%―98%R.H（AT+25℃～+85℃）
10、濕度誤差：+2/-3%R.H（75%R.H以上），±5% R.H（75%R.H以下）
滿足相關標準及試驗方法：
GB/T2423.22-87Nb GJB1032-90 MIL-STD-2164/(E/C)
GB/T2423.4-93 GB/T2423.34-86 GJB150.9-86
高低溫環境試驗裝置「光電半導體領域」
結構與材質
內箱材質：SUS#304耐熱耐寒不銹鋼一級鏡面光板.
外箱材質：高韌性冷軋不銹鋼板并以無溶劑粉體樹酯涂裝.
保溫材質：耐火級高強度PU聚氨酯發泡保溫絕緣材料(比一般PU更具斷熱,耐火功效),保溫系數:小于0.0212kcal/m?hr.
箱門：全開式箱門1式,單扇開啟式.
門氣密材料：*高張力硅膠密封條,耐溫-90~280℃.
加濕系統
加濕方式：蒸汽加濕方式:采用電子并位元方式微動加濕系統;加濕迅速,省水、省電、容許測試產品發熱200%以上. 加濕、除濕系統*獨立,無需額外排水.
加濕保護：加濕均采電子式三層保護及機械式保護開關壹組.附過熱、溢流雙重保護裝置.
防結露設計：可設定溫濕度同步斜率,避免試品結露.
設備使用條件
場地：地面平整,通風良好,不含易燃、易爆、腐蝕性氣體和粉塵.
附近沒有強電磁輻射源.
室內環境條件：溫度: 5℃～35℃.
相對濕度: ＜85%RH.
氣壓: 86～106kpa.
排水口：設備附近備有排水地漏.
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